当前位置：首页 » 公司新闻 » Rakon瑞康放弃标准COTS振荡器拥抱抗辐射振荡器

Rakon瑞康放弃标准COTS振荡器拥抱抗辐射振荡器

来源：康华尔电子浏览：- 发布日期：2026-03-03 15:04:29【大中小】

Rakon瑞康放弃标准COTS振荡器拥抱抗辐射振荡器

作为全球领先的精密时频解决方案提供商,Rakon瑞康深耕时频领域数十年,凭借卓越的技术实力,完善的产品矩阵与严苛的品质管控,在卫星导航,航空航天,国防安全等高端领域积累了深厚的行业口碑与优质客户资源,成为全球众多高端设备厂商的首选时频合作伙伴.时频器件作为高端系统的"心脏",是整个系统运行的核心基准,其稳定性,可靠性与环境适配能力,直接决定了整个系统的运行效能,任务成败,甚至关乎国家主权与安全.当前,随着全球卫星导航向厘米级定位,长续航,高可靠方向升级,航空航天向深空探索,载人航天,商业航天延伸,国防装备向智能化,协同化,轻量化,隐蔽化发展,标准COTS(商用现货)振荡器的固有短板日益凸显,已难以适配高端场景的严苛需求,成为制约行业升级与Rakon瑞康进一步拓展高端市场的"绊脚石".对于Rakon瑞康而言,主动放弃标准COTS振荡器,全面转向抗辐射振荡器的研发,生产与应用,不仅是应对行业痛点,规避客户风险的必然选择,更是巩固自身行业地位,抢占高端市场先机,实现可持续发展的战略布局,更是对自身高端定位与客户责任的践行.标准COTS振荡器凭借成本低廉,采购便捷,交货周期短的优势,曾广泛应用于消费电子,普通工业,民用办公等常规场景,其设计初衷仅针对常规,温和的工作环境,并未考虑极端环境的严苛考验,也未遵循高端领域的可靠性标准.尤其在Rakon石英晶振核心布局的卫星导航,航空航天,国防等高端领域,标准COTS振荡器的诸多固有缺陷被无限放大,不仅无法满足系统对时频基准的核心要求,还可能成为系统运行的"隐形隐患",增加任务失败的风险,损害Rakon瑞康的品牌口碑与客户信任,这与Rakon瑞康"深耕高端,追求极致"的发展理念格格不入.

标准COTS振荡器的致命短板,难以适配高端场景严苛需求

Rakon瑞康的核心服务场景--卫星导航,航空航天,国防系统,其工作环境堪称时频器件的"终极试炼场",每一种场景的严苛程度都远超普通工业与消费电子领域,对时频器件的性能,稳定性与可靠性提出了近乎苛刻的极致要求.在航空航天场景中,航天器从发射到在轨运行,要经历多重极端考验:发射阶段需承受数千G的剧烈冲击与高频振动,在轨运行时要面对-150℃~+120℃的极端高低温交替,真空环境下的热传导失衡会进一步加剧器件性能波动,再加上太空环境中充斥的银河宇宙射线,太阳耀斑辐射等强辐射,每一项都可能对时频器件造成不可逆的损伤;在国防系统场景中,装备可能部署在高温沙漠,严寒极地,沿海盐雾等极端地域,不仅要承受剧烈的温度变化与盐雾侵蚀,还要抵御战场环境中的强电磁压制,炮弹冲击等复杂干扰,时频信号的纯净与稳定直接决定装备的作战效能;在卫星导航场景中,无论是在轨卫星的信号传输,还是地面接收机的定位计算,都需要在复杂电磁环境,户外颠簸振动等工况下,维持极高的时频精度,丝毫偏差都可能导致定位误差大幅增加.而标准COTS振荡器因设计初衷未考虑这些极端工况,其诸多固有缺陷在这类高端场景中被无限放大,不仅无法满足高端系统对时频基准"高精度,高稳定,高可靠"的核心要求,更可能因频率漂移,功能失效等问题导致任务失败--轻则造成数亿甚至数十亿美元的经济损失,重则影响卫星通讯系统晶振覆盖,航天器任务推进,甚至威胁国家国防安全,形成重大战略损失.可以说,标准COTS振荡器的固有短板,已成为制约Rakon瑞康深耕高端场景,满足客户核心需求的不可逾越的行业壁垒,也与Rakon瑞康的高端品牌定位严重不符.

短板一:抗辐射能力缺失,无法抵御极端辐射环境侵蚀

太空环境中充斥着强宇宙辐射,包括银河宇宙射线,太阳耀斑辐射,太阳风粒子等,这些辐射会对时频器件的芯片,封装结构造成不可逆的损伤;国防装备在复杂战场环境中,也可能面临核辐射,强电磁辐射压制等严苛工况,直接影响时频器件的正常工作.而标准COTS振荡器在设计时未进行任何抗辐射优化,采用普通的芯片材质与封装工艺,辐射耐受性极差,根本无法抵御这类极端辐射环境的侵蚀.根据行业权威测试数据,标准COTS振荡器在辐射剂量超过100krad(Si)时,极易出现频率漂移,相位噪声增大,性能衰减等问题,当辐射剂量达到500krad(Si)以上时,会直接导致芯片烧毁,功能失效,彻底丧失时频基准功能.这种辐射敏感性,对于在轨运行数年甚至十几年的卫星,深入深空的探测器,或是部署在复杂战场环境的国防装备而言,是无法接受的致命缺陷--航天器在轨运行后无法进行现场维修,一旦时频器件因辐射失效,整个卫星系统将陷入瘫痪,不仅会导致卫星导航,通信应用晶振,气象观测等任务失败,还会造成数亿甚至数十亿美元的经济损失;国防装备若因辐射导致时频基准紊乱,可能造成导航偏差,协同失灵,打击精度下降,直接威胁国家主权与安全.更为关键的是,标准COTS器件多采用批量采购的普通晶圆,存在晶圆批次之间的同质性差,生产过程可追溯性不足等问题,即便进行额外的筛选,测试与升级,也无法保证其辐射耐受性的稳定性,不同批次甚至同一批次的产品,辐射测试结果可能存在显著差异,给项目带来极大的不确定性风险.这种不可控性,与Rakon瑞康高端客户(卫星制造商,国防装备厂商)对产品可靠性,稳定性的极致要求格格不入,也与Rakon瑞康的品牌定位严重不符.

短板二:环境适应性薄弱,难以应对极端高低温与复杂工况

Rakon瑞康核心服务的高端场景,普遍存在极端的环境波动与复杂工况:卫星在轨运行时,需承受-150℃~+120℃的极端高低温波动,真空环境的热传导差异更是加剧了时频器件的性能波动,白天受太阳直射温度飙升,夜晚处于阴影区温度骤降,这种剧烈的温度变化对时频器件的稳定性是极大的考验;国防装备可能部署在高温沙漠,严寒极地,沿海盐雾等极端地区,面临剧烈的温度变化,振动冲击与盐雾侵蚀;卫星导航接收机则需在户外复杂电磁干扰,颠簸振动等场景中稳定工作,确保定位精度.而标准COTS振荡器的温度适配范围通常仅为-40℃~+85℃,且频率稳定性受温度影响极大,温度每波动10℃,频率漂移可能超过100ppb,远无法满足高端系统对时频精度(通常要求频率漂移≤±10ppb)的严苛要求,会直接导致导航定位偏差,航天器轨道计算失误,国防装备协同失效等问题.同时,标准COTS振荡器多采用普通塑料或廉价金属封装工艺,封装密封性差,结构强度不足,抗振动,抗冲击能力薄弱,在航天器发射时的剧烈冲击(可达数千G),国防装备的战场冲击与振动中,极易出现封装破损,内部结构损坏,引脚脱落等问题,导致器件失效.此外,标准COTS振荡器的抗电磁干扰能力较弱,在国防战场的电磁压制,航天器在轨的电磁干扰环境中,时频信号易受干扰,出现频率抖动,信号失真等问题,无法保证时频基准的纯净与稳定.这种薄弱的环境适应性,使得标准COTS振荡器无法在Rakon瑞康核心服务的高端场景中长期稳定运行,难以承担起核心时频基准的重任,也无法满足Rakon瑞康客户对系统可靠性的核心诉求.

短板三:可靠性不足,运维成本高且风险不可控

卫星,国防装备,深空探测器等高端设备,其运维难度极大,成本极高,部分设备甚至无法进行现场运维--卫星在轨运行后无法维修,国防装备部署在偏远地区或战场环境,维修成本高昂且影响部署效能,这就要求时频器件具备极高的可靠性与长寿命,能够长期稳定运行,减少故障发生.而标准COTS振荡器为控制成本,采用简化的生产工艺,普通的原材料与粗放的品质管控,故障率远高于工业设备应用晶振,军工级器件,使用寿命通常仅为1万~5万小时,远低于高端场景所需的10万小时以上的使用寿命要求,无法适配高端设备长期稳定运行的需求.此外,标准COTS振荡器缺乏完善的品质管控体系与全流程可追溯性,生产过程中的质量管控标准宽松,产品一致性差,部分器件在使用过程中可能出现突发故障,给系统运行带来不可控风险.对于Rakon瑞康的客户而言,一旦时频器件失效,可能导致整个高端系统瘫痪,造成的经济损失,任务损失远超标准COTS振荡器的成本优势,反而推高了整体项目成本与运维风险.例如,一颗在轨卫星的时频器件失效,不仅会导致卫星报废,还会影响整个卫星导航系统的覆盖精度,造成的损失可达数亿美元,而标准COTS振荡器与抗辐射振荡器的初期采购成本差,在这种重大损失面前几乎可以忽略不计.这种"看似省钱,实则埋雷"的选择,既不符合Rakon瑞康客户的长期利益,也会损害Rakon瑞康的品牌信誉,不利于长期合作.

拥抱抗辐射振荡器,是Rakon瑞康巩固高端优势的必然选择

抗辐射振荡器(Rad-Hard Oscillator)并非普通振荡器的简单升级,而是专为卫星导航,航空航天,国防等高端场景量身打造的定制化时频解决方案,其设计逻辑,材料选型,工艺标准与测试流程,均围绕高端场景的严苛需求展开,从根源上规避了标准COTS振荡器的固有缺陷.不同于标准COTS振荡器"通用化,低成本"的设计导向,抗辐射振荡器从研发初期就深度贴合卫星在轨运行,航天器深空探索,国防装备战场部署的核心痛点,通过特殊的抗辐射芯片设计(规避辐射敏感区域,优化电路布局),高端抗辐射材料选型(抗辐射硅片,特种耐高温封装材料),精密封装工艺(真空封焊,金属屏蔽封装)与多轮严苛的测试验证(辐射测试,极端环境测试,可靠性测试),形成全链路的品质保障体系,能够彻底解决标准COTS振荡器抗辐射能力缺失,环境适应性薄弱,可靠性不足等致命短板,为高端系统提供稳定,精准,长效的时频基准支撑.更为关键的是,抗辐射振荡器的核心优势与Rakon瑞康的高端品牌定位,客户核心需求高度契合--Rakon瑞康深耕高端时频领域数十年,核心客户均为卫星制造商,航空航天企业,国防装备厂商,这些客户对时频器件的可靠性,稳定性,环境适配能力有着极致要求,而抗辐射振荡器恰好完美匹配这一需求,成为Rakon瑞康巩固客户合作,提升品牌竞争力的关键抓手.对于Rakon瑞康而言,拥抱抗辐射振荡器,绝非简单的产品替换,而是一次深层次的战略转型:既是对自身产品矩阵的优化升级,淘汰低附加值,高风险的标准COTS相关产品,聚焦高可靠性,高附加值的高端产品,提升企业核心盈利能力;也是对客户需求的精准响应,切实解决客户在高端场景中面临的时频器件失效,风险不可控等痛点,增强客户粘性与满意度;更是对高端时频领域发展趋势的精准把握,紧跟全球卫星导航,航空航天,国防领域的升级步伐,提前布局抗辐射振荡器这一高增长赛道,为企业长期可持续发展奠定坚实基础,进一步巩固其在全球高端时频领域的领军地位.

优势一:强抗辐射能力,守护极端场景稳定运行

抗辐射振荡器的核心优势的在于其极强的辐射耐受能力,通过采用抗辐射材料(如抗辐射硅片,特种封装材料),优化芯片设计(规避辐射敏感区域),改进封装工艺(真空封焊,金属屏蔽),能够有效抵御宇宙辐射,核辐射,电磁辐射等各类辐射侵蚀,辐射耐受剂量可达到1Mrad(Si)以上,部分针对深空探索,核国防场景的定制化产品,辐射耐受剂量可达到10Mrad(Si),远超标准COTS振荡器的辐射耐受水平,能够完美适配太空,核国防等极端辐射场景.同时,抗辐射振荡器经过严格的辐射测试与验证,包括总电离剂量测试,单事件效应测试等,能够有效避免辐射导致的总电离剂量累积损伤与单事件效应,防止频率漂移,相位噪声增大,功能失效等问题,确保在极端辐射环境下长期稳定输出精准时频信号.更为重要的是,抗辐射振荡器具备完善的晶圆批次可追溯性,每一批产品都经过严格的破坏性物理分析,筛选与测试,从原材料采购,芯片制造到封装测试,每一个环节都有详细的质量记录,产品一致性与稳定性得到充分保障,能够让Rakon瑞康的客户对产品性能充满信心,彻底规避标准COTS器件带来的不确定性风险,为卫星,工业测量设备晶振,国防装备等核心系统的稳定运行提供坚实保障,也彰显了Rakon瑞康对产品品质的极致追求.

优势二:极端环境全域适配,适配高端场景多元需求

抗辐射振荡器经过特殊的温度补偿与恒温控制优化,采用先进的温度传感技术与智能温控算法,工作温度范围可稳定覆盖-55℃~+125℃,部分针对深空探索,极端国防场景的定制化产品,工作温度范围可延伸至-150℃~+150℃,能够从容应对航天器在轨运行的极端高低温,导航设备的昼夜温差,国防装备的极端地域环境.无论环境温度如何剧烈波动,抗辐射振荡器都能维持频率输出的稳定性,频率漂移可控制在±1ppb~±10ppb级别,完美满足高端系统对时频精度的严苛要求,确保导航定位精准,航天器轨道计算无误,国防装备协同高效.在抗振动,抗冲击方面,抗辐射振荡器采用高可靠性金属封装(如钛合金,不锈钢)与真空封焊工艺,封装结构紧密,强度高,抗振动可达10-2000Hz,20G加速度,抗冲击可达1000G,0.3ms,能够轻松承受航天器发射时的剧烈冲击(可达数千G),国防装备的战场振动与导航设备的户外颠簸,避免封装破损,内部结构损坏等问题;同时,其具备极强的抗电磁干扰能力,经过严格的电磁兼容(EMC)测试,采用金属屏蔽封装与抗干扰电路设计,可有效抵御战场电磁压制,航天器在轨电磁干扰等复杂干扰,确保时频信号的纯净与稳定,全方位适配Rakon瑞康核心服务的各类高端场景,满足不同客户的个性化需求.

优势三:高可靠性长寿命,降低客户运维成本与风险

抗辐射振荡器采用高品质原材料(高纯度硅片,特种金属,优质封装材料)与全自动化精密生产工艺,实现从芯片研发,晶圆加工,封装测试到成品交付的全流程自主可控,最大限度减少人工操作误差,确保产品品质的一致性与稳定性.产品经过温度循环,振动,冲击,辐射,盐雾,湿度,寿命测试等多项严苛检测,检测标准远超行业规范,故障率远低于标准COTS振荡器,使用寿命可达10万小时以上,部分针对航空航天场景的产品,使用寿命可延伸至20万小时以上,能够完美适配卫星在轨长期运行(通常要求寿命10-15年),国防装备长期部署,导航设备全天候工作的需求.对于Rakon瑞康的客户而言,抗辐射振荡器的高可靠性与长寿命,能够大幅降低高端系统的运维成本与故障风险,避免因时频器件失效导致的系统瘫痪与任务失败.虽然抗辐射振荡器的初期采购成本高于标准COTS振荡器,但从整个项目生命周期来看,能够显著降低综合成本--减少设备维修,更换的费用,避免任务失败造成的重大损失,实现性价比的最大化,这与Rakon瑞康"为客户提供高可靠性,高性价比解决方案"的核心理念高度契合,也能帮助Rakon瑞康进一步提升客户满意度与忠诚度,巩固长期合作关系.

优势四:契合行业发展趋势,抢占高端市场先机

当前,全球卫星导航,航空航天,国防领域正迎来快速升级期,行业发展趋势对时频器件的性能提出了更高的要求:卫星导航向厘米级定位,长续航,高可靠方向发展,需要时频器件具备更高的精度与稳定性;航空航天向深空探索,载人航天,商业航天延伸,需要时频器件具备更强的抗辐射能力与极端环境适配能力;国防装备向智能化,协同化,轻量化,隐蔽化升级,需要时频器件具备小型化,低功耗晶振,抗干扰,长寿命的特质.标准COTS振荡器的性能短板,已无法满足行业升级需求,逐步被抗辐射振荡器替代成为行业必然趋势,高端时频市场正迎来抗辐射振荡器的爆发式增长.Rakon瑞康作为全球精密时频领域的领军企业,若能主动放弃标准COTS振荡器,聚焦抗辐射振荡器的研发与应用,不断优化产品性能,完善产品矩阵,推出适配不同高端场景的定制化产品,将能够精准契合行业发展趋势,满足客户日益严苛的需求,进一步巩固在高端时频领域的市场地位,抢占行业升级带来的市场先机.同时,抗辐射振荡器属于高附加值,高技术壁垒的产品,能够有效提升Rakon瑞康的产品利润率,推动企业从"规模扩张"向"质量提升"转型,实现可持续发展,与客户实现互利共赢,共同发展.

Rakon瑞康的转型底气:技术积淀与资源整合,助力抗辐射振荡器落地

在技术研发方面,Rakon瑞康拥有一支由时频技术专家,资深工程师,材料科学家组成的专业研发团队,团队成员具备数十年的时频器件研发经验,在振荡器设计,频率校准,封装工艺,抗辐射技术等领域拥有多项核心技术与专利,能够快速攻克抗辐射振荡器的核心技术难点(如抗辐射芯片设计,精密封装工艺,辐射测试验证等),优化产品性能,推出适配卫星导航,航空航天,国防等不同高端场景的定制化抗辐射振荡器产品.同时,Rakon瑞康投入大量研发资源,配备先进的研发设备与专业实验室,建立了完善的研发体系,能够紧跟行业技术发展趋势,持续推动抗辐射振荡器的技术升级与产品创新.在品质管控方面,Rakon瑞康建立了全球标准化的生产体系与严苛的品质管控规范,在全球多个地区布局现代化生产基地,采用全自动化生产线与高精度加工设备,实现从原材料筛选,芯片制造,封装测试到成品交付的全流程品质管控.同时,Rakon瑞康具备完善的辐射测试,环境测试,可靠性测试能力,拥有专业的测试实验室与测试设备,能够对每一批抗辐射振荡器进行严格的检测,确保产品品质与性能稳定性,满足卫星,国防等高端场景的严苛检测标准,让客户放心使用.在客户资源方面,Rakon瑞康深耕高端时频领域数十年,与全球众多卫星制造商,航空航天企业,国防装备厂商建立了长期稳定的合作关系,深刻理解不同客户的个性化需求与场景痛点,能够精准推出贴合客户场景的抗辐射振荡器解决方案,快速实现产品落地与市场推广.同时,Rakon瑞康拥有完善的全球销售与服务网络,能够为客户提供从产品选型,样品测试,技术支持到售后维护的全流程一站式服务,助力客户快速完成产品集成与部署,提升客户体验.

Rakon瑞康放弃标准COTS振荡器拥抱抗辐射振荡器

NI-10M-3510	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.2ppb
NI-10M-3560	Taitien	NI-10M-3500	OCXO	10 MHz	CMOS	5V	±0.1ppb
OXETECJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGCJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETHEJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±100ppm
OXETGCJANF-36.000000	Taitien	OX	XO	36 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-40.000000	Taitien	OX	XO	40 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-24.576000	Taitien	OX	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-16.000000	Taitien	OX	XO	16 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLJANF-19.200000	Taitien	OX	XO	19.2 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXKTGLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGCJANF-50.000000	Taitien	OX	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGCJANF-54.000000	Taitien	OX	XO	54 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXETGLJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OXKTGLKANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJTNF-66.000000MHZ	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETECJANF-27.000000	Taitien	OX	XO	27 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±30ppm
OXETGJJANF-7.680000	Taitien	OX	XO	7.68 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OYETCCJANF-12.288000	Taitien	OY	XO	12.288 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETGLJANF-38.880000	Taitien	OX	XO	38.88 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETDCKANF-12.800000	Taitien	OC	XO	12.8 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETECJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETCCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETCCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±20ppm
OCETDCKTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDLJANF-2.048000	Taitien	OC	XO	2.048 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETELJANF-8.000000	Taitien	OC	XO	8 MHz	CMOS	3.3V	±30ppm
OCETGCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-24.576000	Taitien	OC	XO	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJANF-4.000000	Taitien	OC	XO	4 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLKANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETHCJTNF-100.000000	Taitien	OC	XO	100 MHz	CMOS	1.8V	±100ppm
OCKTGLJANF-20.000000	Taitien	OC	XO	20 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-30.000000	Taitien	OC	XO	30 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCKTGLJANF-31.250000	Taitien	OC	XO	31.25 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OCETDCJANF-12.000000	Taitien	OC	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETDCJTNF-50.000000	Taitien	OC	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm
OCETGCJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.667000	Taitien	OC	XO	66.667 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-27.000000	Taitien	OC	XO	27 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJANF-33.333000	Taitien	OC	XO	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-66.000000	Taitien	OC	XO	66 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCETGLJTNF-80.000000	Taitien	OC	XO	80 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
OCJTDCJANF-25.000000	Taitien	OC	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OCKTGLJANF-24.000000	Taitien	OC	XO	24 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETGLJANF-12.000000	Taitien	OX	XO	12 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXETDLJANF-8.704000	Taitien	OX	XO	8.704 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXKTGCJANF-37.125000	Taitien	OX	XO	37.125 MHz	CMOS	1.8V	±50ppm
OXETCLJANF-26.000000	Taitien	OX	XO	26 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±20ppm
OXETDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±25ppm
OXETGLJANF-48.000000	Taitien	OX	XO	48 MHz	CMOS	2.8V ~ 3.3V	±50ppm
OXJTDLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±25ppm
OXJTGLJANF-25.000000	Taitien	OX	XO	25 MHz	CMOS	2.5V	±50ppm